Molecular geisla epitaxy, eða MBE, er ný tækni til að rækta hágæða þunnar filmur af kristöllum á kristal undirlagi. Við ofurháa lofttæmisaðstæður er hitunarofninn búinn alls kyns nauðsynlegum íhlutum og myndar gufu, í gegnum holur sem myndast eftir að hafa borist saman atóm- eða sameindargeisla, bein innspýting við viðeigandi hitastig eins kristals undirlags, sem stýrir sameinda geisla undirlagið skannar á sama tíma, það getur gert sameindirnar eða frumeindirnar í kristaljöfnunarlögum til að mynda þunna filmu á undirlaginu "vöxtur".

Til eðlilegrar notkunar MBE búnaðar er nauðsynlegt að flytja með miklum hreinleika, lágum þrýstingi og ofurhreinu fljótandi köfnunarefni til kæliklefa búnaðarins. Almennt hefur geymir sem veitir fljótandi köfnunarefni framleiðsluþrýsting á milli 0,3 MPa og 0,8 MPa. Fljótandi köfnunarefni við -196 ℃ er auðvelt að gufa upp í köfnunarefni meðan á flutningi leiðslu stendur. Þegar fljótandi köfnunarefni með hlutfalli gasi og vökva um það bil 1: 700 er gasað í leiðslunni mun það taka mikið magn af fljótandi köfnunarefnisflæði og draga úr eðlilegu rennsli í lok fljótandi köfnunarefnisleiðslu. Að auki, í geymslutanki fljótandi köfnunarefnis, er líklegt að það sé rusl sem ekki hefur verið hreinsað. Í leiðslunni fyrir fljótandi köfnunarefni mun tilvist blautt loft einnig leiða til myndunar íssgjalls. Ef þessum óhreinindum er hleypt út í búnaðinn mun það valda ófyrirsjáanlegu tjóni á búnaðinum.

Þess vegna er fljótandi köfnunarefnið í geymslutankinum úti flutt til MBE búnaðarins í ryklausa verkstæðinu með mikilli skilvirkni, stöðugleika og hreinu og lágur þrýstingur, ekkert köfnunarefni, engin óhreinindi, 24 klukkustundir án truflana, slíkt flutningstýrikerfi hæf framleiðsla.