Molecular beam epitaxy, eða MBE, er ný tækni til að rækta hágæða þunnar filmur af kristöllum á kristal hvarfefni. Við mjög hátt lofttæmisaðstæður, er hitunarofninn búinn alls kyns nauðsynlegum íhlutum og myndar gufu, í gegnum göt sem myndast eftir að geisla er sameinað atóm- eða sameindageisla, beina innspýtingu að viðeigandi hitastigi einkristalla undirlagsins, stjórna sameindageisla til hvarfefnið skanna á sama tíma, það getur gert sameindirnar eða atómin í kristaljöfnunarlögum til að mynda þunna filmu á undirlaginu "vöxt".

Fyrir eðlilega notkun MBE búnaðar þarf háan hreinleika, lágan þrýsting og ofurhreint fljótandi köfnunarefni að vera stöðugt og stöðugt flutt í kælihólf búnaðarins. Almennt séð hefur tankur sem gefur fljótandi köfnunarefni úttaksþrýsting á milli 0,3 MPa og 0,8 MPa. Fljótandi köfnunarefni við -196 ℃ gufar auðveldlega upp í köfnunarefni við flutning á leiðslum. Þegar fljótandi köfnunarefni með gas-vökvahlutfallið um það bil 1:700 er gasað í leiðslunni mun það taka mikið magn af fljótandi köfnunarefnisflæðisplássi og draga úr eðlilegu flæði í lok fljótandi köfnunarefnisleiðslunnar. Að auki, í geymslutankinum fyrir fljótandi köfnunarefni, er líklegt að það sé rusl sem ekki hefur verið hreinsað. Í fljótandi köfnunarefnisleiðslu mun tilvist blauts lofts einnig leiða til myndunar ísgjalls. Ef þessi óhreinindi eru losuð í búnaðinn mun það valda ófyrirsjáanlegum skemmdum á búnaðinum.

Þess vegna er fljótandi köfnunarefni í útigeymslutankinum flutt til MBE búnaðarins á ryklausu verkstæðinu með mikilli skilvirkni, stöðugleika og hreinni, og lágþrýstingur, ekkert köfnunarefni, engin óhreinindi, 24 klukkustundir óslitið, slíkt flutningsstýringarkerfi er hæf vara.