Sameindageislaepitaxía, eða MBE, er ný tækni til að rækta hágæða þunnfilmu af kristöllum á kristalundirlagi. Við mjög hátt lofttæmi, með því að útbúa alls kyns nauðsynlega íhluti til að mynda gufu, er atóm- eða sameindageisla myndaðir í gegnum göt sem myndast eftir að geislinn er samstilltur og sprautaður beint inn í viðeigandi hitastig á einkristallundirlaginu. Sameindageislinn er stýrður og skannaður á undirlaginu. Þetta getur valdið því að sameindir eða atóm í kristallögunum mynda þunnfilmu á undirlaginu.

Til eðlilegrar notkunar MBE búnaðar þarf að flytja fljótandi köfnunarefni með mikilli hreinleika, lágum þrýstingi og afar hreint stöðugt í kælihólf búnaðarins. Almennt séð hefur tankur sem veitir fljótandi köfnunarefni úttaksþrýsting á milli 0,3 MPa og 0,8 MPa. Fljótandi köfnunarefni við -196℃ gufar auðveldlega upp í köfnunarefni við flutning í leiðslum. Þegar fljótandi köfnunarefnið með gas-vökva hlutfall upp á um það bil 1:700 hefur verið gaskennt í leiðslum, mun það taka mikið pláss í flæði fljótandi köfnunarefnis og draga úr eðlilegu flæði í enda fljótandi köfnunarefnisleiðslunnar. Að auki er líklegt að óhreinsað rusl sé í geymslutankinum fyrir fljótandi köfnunarefni. Í fljótandi köfnunarefnisleiðslunni mun rakt loft einnig leiða til myndunar ísslags. Ef þessi óhreinindi eru losuð í búnaðinn mun það valda ófyrirsjáanlegum skemmdum á búnaðinum.

Þess vegna er fljótandi köfnunarefnið í útigeymslutankinum flutt í MBE búnaðinn í ryklausu verkstæði með mikilli skilvirkni, stöðugleika og hreinleika, og lágþrýstingurinn, ekkert köfnunarefni, engin óhreinindi, 24 klukkustundir samfleytt, slíkt flutningsstýringarkerfi er hæf vara.